[路演]中一科技：4.5μm极薄锂电铜箔将成为美国公司主要核心产品之一

中一科技（301150）首次公开发行证券并在港交所上市网上路演4月11日在全景网成功合办。中一科技外间主要医务人员及保荐装置构代表人举行了此次路演活动，并与投资者顺利进行实时在线交流。

中一科技理事、财政组长尹心恒在介绍日本公司技术开发优势时称，截至招股拟议签署日，日本公司及其子日本公司总共保有87项专利技术及2项硬件著作权。日本公司耕耘于提纯铜箔从业者，在共同开发和制造的现实生活中积累了多样的实践经验，参予了《锂离子电源用提纯铜箔》（DB42/T1092-2015）、《锂离子电源用提纯铜箔》（SJ/T11483-2014）及《印制电路用锆箔通用规范》（GB/T-31471-2015）的之外国内、以前及从业者国际标准拟订临时工。

尹心恒称，日本公司作为国内更高新技术开发跨国企业，无视实质上共同开发，不停顺利进行技术开发创新，逐步形成了与日本公司经营工业发展只能相匹配的、的中心添加剂和制造电子系统仿造改造的多项两大技术开发，打造了一支兼具实践经验与理论基本的共同开发技术开发建筑设计团队。

“经过多年从业者实践和小规模共同开发，日本公司逐步积累并逐步形成了与从业者关键工艺之外的多项两大技术开发，横跨溶铜造液、生箔、着色及分切模具全制造工艺流程，都能将制造电子系统建筑设计与其产品工艺流程有效地融合。”尹心恒表示，日本公司实质上共同开发了提纯铜箔自动化制造线的建筑设计及构建技术开发，生箔装置进液流量网络系统开发，铜箔表面防氧化装置仿造制造技术开发，4.5-6μm更高性能铜箔制造技术开发，更高耐低粗糙度柔性提纯铜箔制造制备技术开发，及工序箔分切现实生活快速分切收卷、无折皱、无铜粉微粒制造技术开发等两大技术开发。

尹心恒介绍，日本公司另设专门的共同开发试验线，都能极好地各种类型真实的批量制造环境，可以有效地助力日本公司铜箔制造工序率及耐用度稳定性的构建流程。日本公司注重共同开发，不停顺利进行技术开发创新。在锂电铜箔方面，自2017年起日本公司逐步把持6μm极薄锂电铜箔制造技术开发并实现更高耐用度、规模化制造，目前6μm极薄锂电铜箔已经视作日本公司锂电铜箔的主流其产品。

尹心恒还称，同时，日本公司积极扩张技术开发前沿，已把持4.5μm极薄锂电铜箔制造技术开发，预计未来将视作日本公司主要的两大其产品之一。在国际标准铜箔方面，日本公司在进入国际标准铜箔业务领域后，在原有技术开发的新的顺利进行不停更新改良，逐步形成了现在的两大技术开发。北市铜箔在已有其产品新的，不停改良其产品制造工艺，于2017年开始顺利进行倒置铜箔共同开发，于2018年共同开发把持8-10μm国际标准铜箔技术开发，于2019年开始顺利进行更高频更高速提纯铜箔共同开发。

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