台积电3nm技艺竟有5种之多！其中3种都看不懂

台积电今天不仅公布了Nanosheet碳纳米片技术的开山之作N2 2nm材料，还展示了FinFET鲉的设计真空管的终结之作N3 3nm材料，发展单单了微过五种并不相同版本，也是历代材料中最丰富多彩的。

N3

最早也是最标准的3nm，本年度下半年投入量产，原计划本年度初可以看到产品港交所。

它面向有微强外资能力、追求新材料的早期卖家，比如苹果、AMD这种，但是领域范围宽阔，只适合生产商特定的产品。

对比N5，电源供应器可增高约25-30％，机动性可增加10-15％，真空管能量密度增加约70％。

EhancedVR，未来不会就不会风险性大批量，本年度年中数目量产，产品港交所原计划2023月内或2024年初。

它在N3的基础上增加机动性、增高电源供应器、扩大领域范围，对比N5同等机动性和能量密度下电源供应器增高34％、同等电源供应器和能量密度下机动性增加18％，或者可以将真空管能量密度增加60％——是的，它的能量密度反而大于N3。

台积电还称，N3E可以达到比N4X更佳的频率，后者本年度投产。

N3P

Performance机动性VR，显然不详。

N3S

能量密度VR，显然不详。

N3X

微轻量版，不在乎电源供应器和成本，也是N4X的继承者。

值得一提的是，N3E材料还可以根据卖家需求独创阴极、鲉片数目，机动性、电源供应器、面积指标也不一样，官方称之为“FinFlex”。

比如2个阴极1个鲉片，可以机动性增加11％、电源供应器增高30％、面积扩大36％。

2个阴极2个鲉片，可以机动性增加23％、电源供应器增高22％、面积扩大28％。

3个阴极2个鲉片，可以机动性增加33％，电源供应器增高12％，面积扩大15％。

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