熊胜林课题组最新AM: 铋@碳纳米皮球装饰多孔硬碳框架的复合结构，可实现超快储

侦测器装配而成（由此可知1c，d）。TEM由此可知像同类HG面了解到了Bi@C⊂CFs复合塑料的微本体 (由此可知1e)。HRTEM研究成果工作声称，Bi薄膜射门涂有约2 nm厚的磷层，然后插进到磷薄膜偷偷地侦测器构建之中，通过对无序磷的晶体结构斑块数间距研究成果工作推测为硬磷(由此可知1f、g)。在随后的电化学作用之中，Bi固体周围的双磷层不仅可以有助于自由电子/阴离子转移，增加自由电子系数，还为Bi薄膜射门备有了有效的缓冲空数间，以缓解钾化/脱钾化反复之中的尺寸衰减。采用较低角度环状暗场图像TEM（HAADF-STEM）高效率同类HG面捕捉到了Bi@C⊂CFs（由此可知1h，i）。在由此可知1j之中的粒子分辨率HAADF由此可知像之中，层数间一段距离为0.324 nm的晶体结构斑块近似于于金旧称Bi的（012）晶面。STEM和具体来说的EDX成份栖息于由此可知窥见了Bi@C⊂CFs复合本体之中Bi和C的微小栖息于（由此可知1k-m）。

由此可知1 样貌密切相关。a) Bi@C⊂CFs复合本体的催化示意由此可知。Bi@C⊂CFs复合本体的b-d) FESEM、e-f) TEM、g) HRTEM、h-j) HAADF-STEM照片和k-m) STEM-EDX成份栖息于由此可知。

在可取代反复之中，如由此可知2a，b请注意，在350 °C可取代后5 min，Bi-MOF-Rod的有机体从未显著推移，但其表面可能会因为Bi3+和有机配体的断裂开始似乎粗糙，显露出相近纤维状的本体。10 min后(由此可知2c)，在Bi-MOF-Rod的两端呈现出了薄层相互连通的块状侦测器，但从未分离出来。在20 min时采集的典HGFESEM由此可知像窥见，其表面可能会显现出了一些射门形薄膜固体，这是由于Bi3+转化成成了金旧称Bi薄膜固体 (由此可知2d)。当氯化钙时数间延较低约至30或60 min时，3D薄膜偷偷地侦测器初步呈现出 (由此可知2e，f)。通过同类HG面的可取代，可以捕捉到到由于Bi粒子团聚显现出的更是多的薄膜射门栖息于在磷薄膜偷偷地构建的表面可能会和内部 (由此可知2g，h)。通过研究成果工作多种不同时数间的样貌演化出，不难窥见，随着可取代时数间的延较低约，MOF配体构建过后的氧化，Bi3+转化成为填充磷薄膜偷偷地侦测器构建之中的金旧称薄膜固体，事与愿违取得Bi@C⊂CFs亦然限本体。

由此可知2 可取代反复之中的样貌推移。在350°C下，氩气戏剧性之中，对Bi-MOF-Rod前驱体透过氯化钙a,b) 5min，c) 10 min，d)20 min，e) 30 min，f) 60 min和g-h) 2 h后之烯烃的FESEM照片。

由此可知3a窥见了Bi@C⊂CFs在0.1 mV−1下的重复伏安规 (CV)椭圆。如由此可知3b请注意，在通量为1 A g−1时的放电椭圆在0.68和0.49 V两处的电压网络服务近似于Bi→NaBi→Na3Bi的钛化中间体，而加压椭圆在0.59和0.75 V时的电压网络服务则近似于于Bi钛化的q中间体，这与CV椭圆的结果是较低度一致的。在对精度耐用性同类HG面的研究成果之中，如由此可知3c请注意，当通量从0.2增大到64 A g−1时，输出功率安定在323.1 mAh g−1，几乎从未波动。即使通量继续增大到80 A g−1时，仍然可以备有308.8 mAh g−1的较低输出功率，只需要≈15 s就可以透过一次加压或放电。可见，Bi@C⊂CFs阳亦然即使在亦然较低的电压下也兼具亦然限较低的安定性，这对具体广为应用兼具重要意义。不仅如此，Bi@C⊂CFs的精度耐用性优于之前报道过的Bi锡阳亦然 (由此可知3d)。即使在1000次重复后，在1.0 A g−1的通量下，Bi@C⊂CFs也可以保持一致325 mAh g−1的q输出功率 (由此可知3e)。在5 A g−1的通量下透过了较低约重复试验，经过5000次重复后，q输出功率为305 mAh g−1，原有率为89.4%，窥见了该亦然限本体兼具加速的Na+中间体物理和绝佳的本体安定性 (由此可知3g)。此外，在与可称Bi透过相同条件下的精度测试后，Bi@C⊂CFs也窥见了更是较低的输出功率原有率 (由此可知3f)。

由此可知3 电化学耐用性。a) 图像速率为0.1 m V−1时在0.01和1.5 V二者之数间的CV椭圆。b) 通量为1 A g−1时的充放电椭圆。c) 精度耐用性。d) 与已报道的Bi锡阳亦然塑料的精度耐用性相比较。e) 1 A g−1和g) 5 A g−1的重复耐用性以及具体来说的CE。f) 可称Bi和Bi@C⊂CFs阳亦然精度耐用性的输出功率保持一致率相比较。

在经过第一次重复后的阳亦然表面可能会开始显现出SEI (由此可知4a)，并且随着重复的透过，阳亦然表面可能会的SEI似乎更是加微小 (由此可知4b，c)。经过100次重复后，呈现出了一个微小多孔的薄膜本体 (由此可知4d)。Bi@C⊂CFs阳亦然的这种有机体发端如由此可知4e请注意。在DME锡钾之中，呈现出的薄膜级多孔本体不仅为Na+备有了更是短的扩散一段距离，而且还显现出了更是大的阳亦然-钾沾染山海面。其次，薄膜级多孔本体的呈现出增大了反复的Na+填充/好在反复引发的本体应变能力和尺寸变形，从而增加了重复安定性。高密度泛函原理（DFT）同类HG面研究成果了DME锡沉淀物对多孔本体呈现出的受到影响。通过计算得出DME分子可在Bi（012）晶面的吸附能为0.56 eV (由此可知4f)，为了取得更是多的物理反复讯息，实时了Na+在可称Bi和Bi@C⊂CFs上的吸附，从而了解到了本体的设计的好处。难以实现具体本体的复杂性，采用单层绝缘体指出一个比较简单建模的磷层。如由此可知4g，h请注意，绝缘体的自组增加了系数，并且引发了Na粒子周围自由电子云高密度的于是又栖息于。Bi/绝缘体山海面的钾迁离轨迹由此可知如由此可知4i请注意，根据由此可知4j的计算结果，辨认出Na+在Bi/绝缘体表面可能会的扩散比在可称Bi表面可能会更是容易发生。

由此可知4 重复后的样貌和原理计算研究成果工作。a-d)Bi@C⊂CFs阳亦然在1、10、50和100次重复后的FESEM由此可知像。e) Bi@C⊂CFs阳亦然在重复反复之中的有机体演化出示意由此可知。f) DME分子可在Bi（012）晶面的吸附建模。g) Bi/G和h) Bi的作用力高密度相异。i) Bi-绝缘体山海面上的阴离子通道迁离轨迹由此可知。j) Bi-绝缘体山海面和Bi山海面之中的迁离能垒。

对在多种不同沉淀物之中SEI的化学组成透过了详细研究成果工作。在DME锡沉淀物之中，SEI微小且裹 (由此可知5a)；而在EC/DEC锡沉淀物之中，SEI不微小且更是厚(由此可知5e)。相比之下，微小且裹的SEI展现出安定的重复耐用性，而不微小且厚的SEI在重复反复之中因慢慢消耗沉淀物受到影响了锂阴离子的耐用性。通过XPS对上述两个SEI层透过研究成果工作，辨认出在DME锡沉淀物之中SEI的主要成分是烷锡氧化钾 (RCH2ONa)和聚苯基(由此可知5b-d)。而在EC/DEC锡的钾之中，SEI的主要成分是烷锡磷酸钾 (ROCO2Na)和聚酯(由此可知5f-h)。ROCO2Na由于不安定可能会同类HG面氧化为RCH2ONa和磷酸钾，这避免在EC/DEC锡钾之中呈现出的SEI层不安定，在DME锡沉淀物之中呈现出的微小且裹的SEI层更是安定，也情况下了Na+的加速以太网和Bi阳亦然的本体安定性，从而备有很欠的精度耐用性和重复安定性。难以实现沉淀物氧化反复之中的转化成中间体与最低的未被占据的分子可近地点(LUMO)总体密切相关，锡于DFT和SMD隐式有机溶剂化建模，NaPF6的LUMO总体(-0.79 eV)近小于由此可知5i之中的DME(2.31eV)，声称NaPF6比DME兼具更是较低的转化成性，因此NaPF6在整个放电反复之中比DME氧化的更是更早，在呈现出有机层之前呈现出富含碳化的数间相层。相比之下，由此可知5j之中NaPF6(-0.66 eV)、EC(0.94 eV)和DEC(1.27 eV)的LUMO总体非常相比之下，避免这三种分子可几乎同时氧化，显现出有机和无机中间体物的混杂SEI层。众所周知，富含碳化的SEI层比混杂层更是稀疏、更是可过后。前者能有效保护种系统之中沉淀物的同类HG面氧化，而后者容易氧化，沉淀物能轻易渗透，避免SEI层过后增较低约，物理缓慢和重复反复之中输出功率的加速降低。

由此可知5 SEI研究成果工作。在a) DME锡和e) EC/DEC锡沉淀物之中重复后的阳亦然HRTEM由此可知像。在DME锡沉淀物之中重复后的Bi@C⊂CFs的O1s(b)、C1s (c)和F1s (d)的较低分辨率XPS光度。在EC/DEC锡钾之中重复后的Bi@C⊂CFs的O1s (f)、C1s (g)和F1s (h)的较低分辨率XPS光度。有机溶剂分子可和钾盐的HOMO和LUMO能级：i) DME沉淀物之中的NaPF6和DME，j) EC/DEC钾之中的NaPF6、EC和DEC。

采用原位XRD研究成果了Bi@C⊂CFs阳亦然在充放电反复之中的储钾中间体机理。如由此可知6a请注意，随着放电反复的透过，在26.8°两处的Bi的特征山峰由于钛化中间体呈现出NaBi而消失，并在31.8°两处显现出了新的特征山峰。随着放电反复的透过，NaBi山峰的减弱和Na3Bi山峰的加强同时透过，直到NaBi山峰完同类HG消失，声称NaBi已完同类HG转化为Na3Bi。在随后的加压反复之中，Na3Bi的特征山峰慢慢减弱直至消失，并伴随着NaBi的显现出。似乎，这一阶段与Na3Bi脱钾化呈现出NaBi有关。此外，随着加压反复的透过，Bi山峰开始显现出并过后到加压终止。Bi在SIBs之中的钛化/脱钛中间体机理如由此可知6b请注意。

由此可知6 储钾中间体机理。a）充放电椭圆和原位XRD由此可知，Bi@C⊂CFs阳亦然之中Bi和NaBi山峰缩放后的XRD由此可知。b）Bi的钛/脱钛中间体机理示意由此可知。

总结与展望

本工作示范了以一种的设计很欠的钡锡MOF作为本体导向模板，亦然难催化了Bi@C核壳薄膜射门装饰物的磷薄膜偷偷地侦测器装配的可视化构建亦然限本体。通过种着重研究成果钾的储存行为辨认出，在充放电反复之中，活性塑料表面可能会显现出微小而裹的SEI，阳亦然表面可能会慢慢呈现出微小多孔的薄膜本体，增加了活性塑料的耗能，缩短了阴离子/自由电子的扩散一段距离。因此，该Bi@C⊂CFs复合塑料展现出了较低q输出功率、较低约重复安定性和不错的精度耐用性。一系列的密切相关样品和原理计算研究成果工作了解到了Bi@C⊂CFs复合塑料在苯基锡沉淀物之中耐用性不错的内在原因。此外，通过将Bi@C⊂CFs与有机阳亦然适时装配的同类HG锂阴离子备有了安定的重复耐用性，示范了其在具体大规模广为应用之中的潜力。这项工作为整合新HG阴离子通道锂阴离子阳亦然塑料备有了一种简便较低效的方规，并为Bi锡复合塑料在较低耐用性阴离子通道锂阴离子种系统之中的广为应用备有了见解和初衷。

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